Инвентаризация:10607

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 70A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 39mOhm @ 27A, 18V
  • Материал феррулы 262W (Tc)
  • Барьерный тип 5.6V @ 13.3mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247N
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 650 V
  • 104 nC @ 18 V
  • 1526 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 120A TO247-3

Инвентаризация: 912

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 342

SICFET N-CH 650V 118A TO247N

Инвентаризация: 1106

SICFET N-CH 650V 93A TO247N

Инвентаризация: 1493

SICFET N-CH 650V 70A TO247N

Инвентаризация: 445

SICFET N-CH 1200V 55A TO247N

Инвентаризация: 1584

SICFET N-CH 650V 30A TO247N

Инвентаризация: 1546

MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3

Инвентаризация: 214

Top