Инвентаризация:3046

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 104mOhm @ 10A, 18V
  • Материал феррулы 134W (Tc)
  • Барьерный тип 5.6V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247N
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 650 V
  • 48 nC @ 18 V
  • 571 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

Инвентаризация: 24334

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 1435

MOSFET N-CH 650V 34A TO247

Инвентаризация: 385

MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW

Инвентаризация: 5112

650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR

Инвентаризация: 441

SICFET N-CH 650V 70A TO247N

Инвентаризация: 9107

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N

Инвентаризация: 1990

750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 387

750V, 34A, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 406

IGBT 650V 30A 260W TO-247

Инвентаризация: 389

Top