Инвентаризация:1887

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 98A (Tj)
  • Сопротивление при 25°C 16.9mOhm @ 58A, 18V
  • Материал феррулы 267W
  • Барьерный тип 4.8V @ 30.8mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263-7L
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +21V, -4V
  • 750 V
  • 170 nC @ 18 V
  • 4580 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 1218

SICFET N-CH 650V 118A TO247N

Инвентаризация: 1106

SICFET N-CH 650V 30A TO247N

Инвентаризация: 1546

750V, 105A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 417

1200V, 81A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 391

1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 925

750V, 34A, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 406

Top