Инвентаризация:2718

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 145A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 75A, 18V
  • Материал феррулы 500W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 25mA
  • Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -8V
  • 650 V
  • 283 nC @ 18 V
  • 4689 pF @ 325 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

Инвентаризация: 788

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 342

SIC MOS TO247-4L 750V

Инвентаризация: 242

750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 387

650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C

Инвентаризация: 2668

750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC

Инвентаризация: 1328

Top