Инвентаризация:2828

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 106A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 11.5mOhm @ 70A, 12V
  • Материал феррулы 375W (Tc)
  • Барьерный тип 5.5V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
  • Длина ремня 12V
  • Шаг Количество ±20V
  • 750 V
  • 75 nC @ 15 V
  • 3340 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 1218

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 2330

MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4

Инвентаризация: 1694

750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,

Инвентаризация: 1040

750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE

Инвентаризация: 850

750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS

Инвентаризация: 9

750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS

Инвентаризация: 2125

Top