Инвентаризация:3830

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 106A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 28.5mOhm @ 45A, 18V
  • Материал феррулы 395W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 15.5mA
  • Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -8V
  • 650 V
  • 164 nC @ 18 V
  • 3480 pF @ 325 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 238A TO263-7

Инвентаризация: 460

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 1218

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4

Инвентаризация: 735

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 269

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5

Инвентаризация: 510

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 800

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 2365

SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7

Инвентаризация: 66

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Инвентаризация: 8

750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC

Инвентаризация: 1328

Top