Инвентаризация:1960

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 238A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 8.5mOhm @ 146.3A, 18V
  • Материал феррулы 789W (Tc)
  • Барьерный тип 5.6V @ 2.97mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
  • Длина ремня 15V, 20V
  • Шаг Количество +23V, -7V
  • 650 V
  • 179 nC @ 18 V
  • 6359 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SIC DISCRETE

Инвентаризация: 840

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 884

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 0

HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

Инвентаризация: 107

750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC

Инвентаризация: 1328

Top