- Модель продукта IMBG65R007M2HXTMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1960
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 238A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 8.5mOhm @ 146.3A, 18V
- Материал феррулы 789W (Tc)
- Барьерный тип 5.6V @ 2.97mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
- Длина ремня 15V, 20V
- Шаг Количество +23V, -7V
- 650 V
- 179 nC @ 18 V
- 6359 pF @ 400 V