- Модель продукта IMBG65R015M2HXTMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 115A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 64.2A, 18V
- Материал феррулы 416W (Tc)
- Барьерный тип 5.6V @ 13mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
- Длина ремня 15V, 20V
- Шаг Количество +23V, -7V
- 650 V
- 79 nC @ 18 V
- 2792 pF @ 400 V