Инвентаризация:2107

Технические детали

  • Тип монтажа 22-PowerBSOP Module
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 98A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 15mOhm @ 41.5A, 20A
  • Материал феррулы 384W (Tc)
  • Барьерный тип 5.6V @ 14.9mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-HDSOP-22-1
  • Длина ремня 15V, 20V
  • Шаг Количество +23V, -5V
  • 750 V
  • 80 nC @ 18 V
  • 2869 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22

Инвентаризация: 606

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 748

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 750

HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

Инвентаризация: 107

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 2330

750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 387

Top