- Модель продукта IMDQ75R016M1HXUMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2107
Технические детали
- Тип монтажа 22-PowerBSOP Module
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 98A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 15mOhm @ 41.5A, 20A
- Материал феррулы 384W (Tc)
- Барьерный тип 5.6V @ 14.9mA
- Максимальное переменное напряжение PG-HDSOP-22-1
- Длина ремня 15V, 20V
- Шаг Количество +23V, -5V
- 750 V
- 80 nC @ 18 V
- 2869 pF @ 500 V