Инвентаризация:2248

Технические детали

  • Тип монтажа 22-PowerBSOP Module
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 47A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 37mOhm @ 16.6A, 20V
  • Материал феррулы 211W (Tc)
  • Барьерный тип 5.6V @ 6mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-HDSOP-22-1
  • Длина ремня 15V, 20V
  • Шаг Количество +23V, -5V
  • 750 V
  • 34 nC @ 18 V
  • 1135 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 607

HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

Инвентаризация: 107

Top