Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 144A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 12.2mOhm @ 56.7A, 18V
  • Материал феррулы 600W (Tc)
  • Барьерный тип 5.1V @ 17.8mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +23V, -10V
  • 1200 V
  • 124 nC @ 18 V
  • 4050 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 840

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 941

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 958

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 884

SICFET N-CH 650V 238A TO263-7

Инвентаризация: 460

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 47

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 501

Top