Инвентаризация:2340

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 189A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 7.7mOhm @ 89.9A, 18V
  • Материал феррулы 800W (Tc)
  • Барьерный тип 5.1V @ 28.3mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +23V, -10V
  • 1200 V
  • 195 nC @ 18 V
  • 6380 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

13M, 1200V, SIC FET TO-247, AUTO

Инвентаризация: 395

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 941

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 958

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 953

SICFET N-CH 650V 238A TO263-7

Инвентаризация: 460

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 47

1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4793

Top