Инвентаризация:1895

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 153A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 17mOhm @ 84.29A, 15V
  • Материал феррулы 517W (Tc)
  • Барьерный тип 3.8V @ 23.18mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +19V, -8V
  • 1200 V
  • 293 nC @ 15 V
  • 7407 pF @ 1000 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L

Инвентаризация: 1363

SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 242

SIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 0

SIC, MOSFET, 32M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 360

SIC, MOSFET, 40M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 316

160m 1200V SiC FET, TO-263-7 XL

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 884

TO247-4

Инвентаризация: 0

Top