Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 129A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 17.5mOhm @ 60A, 18V
  • Материал феррулы 673W (Tc)
  • Барьерный тип 4.2V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 1200 V
  • 167 nC @ 18 V
  • 3512 pF @ 800 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4

Инвентаризация: 306

SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 242

13M, 1200V, SIC FET TO-247, AUTO

Инвентаризация: 395

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 840

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 941

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 189

TO247-4

Инвентаризация: 0

1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4793

TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247

Инвентаризация: 0

Top