Инвентаризация:1806

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 115A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 22.3mOhm @ 75A, 15V
  • Материал феррулы 556W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 23mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +15V, -4V
  • 1200 V
  • 211 nC @ 15 V
  • 6085 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3

Инвентаризация: 1585

SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L

Инвентаризация: 879

1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE

Инвентаризация: 404

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 450

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 172

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966

SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4

Инвентаризация: 1078

SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4

Инвентаризация: 1209

Top