- Модель продукта G3R12MT12K
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание 1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1904
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 157A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 13mOhm @ 100A, 18V
- Материал феррулы 567W (Tc)
- Барьерный тип 2.7V @ 50mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-4
- Длина ремня 15V, 18V
- Шаг Количество +22V, -10V
- 1200 V
- 288 nC @ 15 V
- 9335 pF @ 800 V