Инвентаризация:1904

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 157A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 13mOhm @ 100A, 18V
  • Материал феррулы 567W (Tc)
  • Барьерный тип 2.7V @ 50mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 1200 V
  • 288 nC @ 15 V
  • 9335 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4

Инвентаризация: 306

SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4

Инвентаризация: 1085

SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

Инвентаризация: 8523

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 47

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1.2KV 173A SOT227

Инвентаризация: 0

SiC MOSFET N 1200V 12mohm 214A

Инвентаризация: 2400

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966

Top