- Модель продукта G3R20MT12K
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 128A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 24mOhm @ 60A, 15V
- Материал феррулы 542W (Tc)
- Барьерный тип 2.69V @ 15mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-4
- Длина ремня 15V
- Шаг Количество ±15V
- 1200 V
- 219 nC @ 15 V
- 5873 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
Инвентаризация: 232
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Инвентаризация: 1603
SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Инвентаризация: 2
SIC DISCRETE
Инвентаризация: 259
SIC DISCRETE
Инвентаризация: 0
MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247
Инвентаризация: 2
TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247
Инвентаризация: 0
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Инвентаризация: 966
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Инвентаризация: 876
