Инвентаризация:3103

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 90A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 36mOhm @ 50A, 15V
  • Материал феррулы 400W (Tc)
  • Барьерный тип 2.69V @ 12mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество ±15V
  • 1200 V
  • 155 nC @ 15 V
  • 3901 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4

Инвентаризация: 1085

SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3

Инвентаризация: 1732

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4

Инвентаризация: 704

SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4

Инвентаризация: 706

TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4

Инвентаризация: 87

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966

1200V, 43A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 336

Top