Инвентаризация:1587

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 66A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 40A, 20V
  • Материал феррулы 323W (Tc)
  • Барьерный тип 2.6V @ 2mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +23V, -10V
  • 1200 V
  • 137 nC @ 20 V
  • 1990 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


1200V 40MOHM SIC MOSFET

Инвентаризация: 1298

SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L

Инвентаризация: 691

SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L

Инвентаризация: 55

MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L

Инвентаризация: 0

TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4

Инвентаризация: 46

MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-268

Инвентаризация: 0

TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247

Инвентаризация: 0

TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4

Инвентаризация: 180

SICFET N-CH 1200V 66A TO247-3

Инвентаризация: 51

Top