Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 22mOhm @ 40A, 20V
  • Материал феррулы 357W (Tc)
  • Барьерный тип 2.7V @ 4.5mA (Typ)
  • Максимальное переменное напряжение D3PAK
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 1200 V
  • 249 nC @ 20 V
  • 5280 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


1200V 32MOHM SIC MOSFET

Инвентаризация: 1470

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4

Инвентаризация: 46

MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247

Инвентаризация: 2

MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247

Инвентаризация: 35

MOSFET SIC 1200V 17 MOHM SOT-227

Инвентаризация: 10

MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-26

Инвентаризация: 205

TRANS SJT 1700V TO247-4

Инвентаризация: 210

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 501

SICFET N-CH 1200V 55A TO247N

Инвентаризация: 1584

Top