Инвентаризация:3084

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 55A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 52mOhm @ 20A, 18V
  • Материал феррулы 262W (Tc)
  • Барьерный тип 5.6V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247N
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 1200 V
  • 107 nC @ 18 V
  • 1337 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC DISCRETE

Инвентаризация: 259

MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-268

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SICFET N-CH 900V 46A TO247-3

Инвентаризация: 64

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 738

SICFET N-CH 1200V 95A TO247N

Инвентаризация: 1130

SICFET N-CH 650V 21A TO247N

Инвентаризация: 6540

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N

Инвентаризация: 1990

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

Top