- Модель продукта SCTWA60N120G2-4
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 200°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 52mOhm @ 30A, 18V
- Материал феррулы 388W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-4
- Длина ремня 18V
- Шаг Количество +22V, -10V
- 1200 V
- 94 nC @ 18 V
- 1969 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
1200V 40MOHM SIC MOSFET
Инвентаризация: 1298
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Инвентаризация: 1648
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Инвентаризация: 592
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Инвентаризация: 433
TO247-4
Инвентаризация: 0
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Инвентаризация: 43
SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7
Инвентаризация: 0
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Инвентаризация: 66
SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Инвентаризация: 0
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
Инвентаризация: 0
