Инвентаризация:1543

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 239mOhm @ 10A, 20V
  • Материал феррулы 153W (Tc)
  • Барьерный тип 3.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение HiP247™
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -10V
  • 1200 V
  • 45 nC @ 20 V
  • 650 pF @ 400 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET

Инвентаризация: 382

SICFET N-CH 1200V 12A HIP247

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 20A HIP247

Инвентаризация: 499

SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

Top