- Модель продукта SCTH60N120G2-7
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 52mOhm @ 30A, 10V
- Материал феррулы 390W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение H2PAK-7
- Длина ремня 18V
- Шаг Количество +22V, -10V
- 1200 V
- 94 nC @ 18 V
- 1969 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
1200V 40 M SIC MOSFET
Инвентаризация: 637
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Инвентаризация: 5562
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Инвентаризация: 68
SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Инвентаризация: 595
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Инвентаризация: 0
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Инвентаризация: 43
SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
Инвентаризация: 0
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Инвентаризация: 0
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
Инвентаризация: 0
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Инвентаризация: 600
