Инвентаризация:7062

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 90mOhm @ 20A, 15V
  • Материал феррулы 113.6W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +19V, -8V
  • 1200 V
  • 51 nC @ 15 V
  • 1350 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON

Инвентаризация: 14317

SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3

Инвентаризация: 992

SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7

Инвентаризация: 800

SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L

Инвентаризация: 1087

SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7

Инвентаризация: 2

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263

Инвентаризация: 1656

SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4

Инвентаризация: 339

Top