Инвентаризация:2587

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 90mOhm @ 20A, 15V
  • Материал феррулы 113.6W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +19V, -8V
  • 1200 V
  • 51 nC @ 15 V
  • 1350 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 900V 73A TO247-4

Инвентаризация: 2190

1200V 40MOHM SIC MOSFET

Инвентаризация: 1298

GEN 3 650V 49A SIC MOSFET

Инвентаризация: 19

SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L

Инвентаризация: 691

SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3

Инвентаризация: 992

SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

Инвентаризация: 5562

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 461

SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4

Инвентаризация: 706

SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4

Инвентаризация: 104

Top