Инвентаризация:1604

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 37A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 100mOhm @ 15A, 20V
  • Материал феррулы 200W (Tc)
  • Барьерный тип 2.8V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +23V, -10V
  • 1200 V
  • 64 nC @ 20 V
  • 838 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L

Инвентаризация: 1087

75M 1200V 175C SIC FET

Инвентаризация: 319

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4

Инвентаризация: 704

SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3

Инвентаризация: 3429

SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4

Инвентаризация: 706

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4

Инвентаризация: 261

TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3

Инвентаризация: 104

SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4

Инвентаризация: 430

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

Top