Инвентаризация:1519

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 49A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 60mOhm @ 17.6A, 15V
  • Материал феррулы 176W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 4.84mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +19V, -8V
  • 650 V
  • 63 nC @ 15 V
  • 1621 pF @ 600 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L

Инвентаризация: 879

SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L

Инвентаризация: 136

75M 1200V 175C SIC FET

Инвентаризация: 319

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 461

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 453

650 V 95 A GAN FET

Инвентаризация: 713

650 V 34 A GAN FET

Инвентаризация: 193

Top