Инвентаризация:3156

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 26A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 125mOhm @ 8.5A, 18V
  • Материал феррулы 136W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 3.7mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
  • Шаг Количество +18V, -15V
  • 1200 V
  • 23 nC @ 18 V
  • 763 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7

Инвентаризация: 1525

SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263

Инвентаризация: 68

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4

Инвентаризация: 9

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4

Инвентаризация: 261

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4

Инвентаризация: 592

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 47

SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7

Инвентаризация: 4919

Top