Инвентаризация:1509

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 56A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 40mOhm @ 25A, 18V
  • Материал феррулы 227W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-1
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +23V, -7V
  • 1200 V
  • 63 nC @ 18 V
  • 2120 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1147

SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4

Инвентаризация: 1603

SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4

Инвентаризация: 251

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4

Инвентаризация: 261

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 47

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 57

TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247

Инвентаризация: 0

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 189

Top