Инвентаризация:1689

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 127A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 74A, 18V
  • Материал феррулы 686W (Tc)
  • Барьерный тип 4.63V @ 37mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 1200 V
  • 329 nC @ 18 V
  • 6230 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE

Инвентаризация: 404

SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4

Инвентаризация: 1085

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 228

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 47

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 133

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 172

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 876

1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4793

Top