Инвентаризация:2376

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 68A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 40A, 18V
  • Материал феррулы 352W (Tc)
  • Барьерный тип 4.4V @ 20mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 1200 V
  • 151 nC @ 18 V
  • 3175 pF @ 800 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 0

1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET

Инвентаризация: 260

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SICFET N-CH 1200V 95A TO247N

Инвентаризация: 1130

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

Top