Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 104A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 28.8mOhm @ 62.1A, 15V
  • Материал феррулы 405W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 17.1mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +19V, -8V
  • 1200 V
  • 177 nC @ 15 V
  • 5100 pF @ 1000 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23

Инвентаризация: 30980

SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L

Инвентаризация: 1363

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

SIC, MOSFET, 32M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 360

1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET

Инвентаризация: 260

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 958

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 57

TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966

Top