Инвентаризация:1633

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 142A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 75A, 18V
  • Материал феррулы 500W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 25mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -8V
  • 650 V
  • 283 nC @ 18 V
  • 4790 pF @ 325 V

Сопутствующие товары


SIC DISCRETE

Инвентаризация: 47

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 460

MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4

Инвентаризация: 208

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 450

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 269

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 342

SIC MOS TO247-4L 750V

Инвентаризация: 242

MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4

Инвентаризация: 1694

Top