Инвентаризация:1742

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 140A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 66A, 18V
  • Материал феррулы 500W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 22mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -8V
  • 750 V
  • 262 nC @ 18 V
  • 5010 pF @ 375 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC DISCRETE

Инвентаризация: 182

TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4

Инвентаризация: 46

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 1218

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 431

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 133

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 342

SIC MOSFET 900V TO247-4L

Инвентаризация: 871

SIC MOS TO247-4L 650V

Инвентаризация: 444

SIC MOS TO247-4L 650V

Инвентаризация: 450

750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

Инвентаризация: 924

Top