Инвентаризация:1931

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 62A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 25A, 18V
  • Материал феррулы 242W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 8mA
  • Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -8V
  • 650 V
  • 105 nC @ 18 V
  • 1890 pF @ 325 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 300V 26A TO252AA

Инвентаризация: 6889

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 1218

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4

Инвентаризация: 735

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3

Инвентаризация: 1826

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 453

650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C

Инвентаризация: 2668

Top