- Модель продукта NTBL045N065SC1
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3326
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerSFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 73A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 25A, 18V
- Материал феррулы 348W (Tc)
- Барьерный тип 4.3V @ 8mA
- Максимальное переменное напряжение 8-HPSOF
- Длина ремня 15V, 18V
- Шаг Количество +22.6V, -8V
- 650 V
- 105 nC @ 18 V
- 1870 pF @ 325 V