Инвентаризация:3303

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerSFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 49A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 60mOhm @ 17.6A, 15V
  • Материал феррулы 164W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 4.84mA
  • Максимальное переменное напряжение TOLL
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +19V, -8V
  • 650 V
  • 59 nC @ 15 V
  • 1621 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


650V 25 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 418

SIC, MOSFET 25 M, 650V TO-263-7X

Инвентаризация: 800

650V 45 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 475

SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN

Инвентаризация: 2474

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 1475

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF

Инвентаризация: 2240

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3

Инвентаризация: 1826

Top