- Модель продукта IPT60R028G7XTMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3740
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerSFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 75A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 28mOhm @ 28.8A, 10V
- Материал феррулы 391W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 1.44mA
- Максимальное переменное напряжение PG-HSOF-8-2
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 600 V
- 123 nC @ 10 V
- 4820 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
Инвентаризация: 3000
MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Инвентаризация: 882
MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
Инвентаризация: 7325
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Инвентаризация: 143
750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Инвентаризация: 1040
