Инвентаризация:2975

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 157mOhm @ 6.76A, 15V
  • Материал феррулы 86W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 1.86mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263-7
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +19V, -8V
  • 650 V
  • 26 nC @ 15 V
  • 640 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN

Инвентаризация: 1803

SICFET N-CH 650V 36A TO263-7

Инвентаризация: 3950

SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN

Инвентаризация: 2474

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 461

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3

Инвентаризация: 8347

SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7

Инвентаризация: 1213

SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263

Инвентаризация: 186

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 978

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 0

Top