Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 72mOhm @ 15A, 18V
  • Материал феррулы 185W (Tc)
  • Барьерный тип 4.2V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение HU3PAK
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 650 V
  • 29 nC @ 18 V
  • 721 pF @ 400 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 1475

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4

Инвентаризация: 735

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 800

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 0

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 15

SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

Инвентаризация: 1704

SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,

Инвентаризация: 20

N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,

Инвентаризация: 64

Top