Инвентаризация:2300

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 105mOhm @ 12A, 18V
  • Материал феррулы 110W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 4mA
  • Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 15V, 18V
  • 650 V
  • 50 nC @ 18 V
  • 956 pF @ 325 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4

Инвентаризация: 735

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 796

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 2365

SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK

Инвентаризация: 424

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 0

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 0

Top