- Модель продукта SCT040H65G3AG
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 55mOhm @ 20A, 18V
- Материал феррулы 221W (Tc)
- Барьерный тип 4.2V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение H2PAK-7
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 15V, 18V
- Шаг Количество +18V, -5V
- 650 V
- 39.5 nC @ 18 V
- 920 pF @ 400 V
- AEC-Q101