- Модель продукта NTBG060N065SC1
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2235
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 46A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 70mOhm @ 20A, 18V
- Материал феррулы 170W (Tc)
- Барьерный тип 4.3V @ 6.5mA
- Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
- Длина ремня 15V, 18V
- Шаг Количество +22V, -8V
- 650 V
- 74 nC @ 18 V
- 1473 pF @ 325 V