Инвентаризация:2235

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 46A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 70mOhm @ 20A, 18V
  • Материал феррулы 170W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 6.5mA
  • Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -8V
  • 650 V
  • 74 nC @ 18 V
  • 1473 pF @ 325 V

Сопутствующие товары


SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN

Инвентаризация: 2474

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 501

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 431

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 453

SIC MOS TO247-4L 650V

Инвентаризация: 660

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 2365

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 0

Top