- Модель продукта NTBG014N120M3P
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2001
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 104A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 20mOhm @ 74A, 18V
- Материал феррулы 454W (Tc)
- Барьерный тип 4.63V @ 37mA
- Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
- Длина ремня 15V, 18V
- Шаг Количество +22V, -10V
- 1200 V
- 337 nC @ 18 V
- 6313 pF @ 800 V