Инвентаризация:2425

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 75A (Tj)
  • Сопротивление при 25°C 23.4mOhm @ 42A, 18V
  • Материал феррулы 267W
  • Барьерный тип 4.8V @ 22.2mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263-7L
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +21V, -4V
  • 1200 V
  • 170 nC @ 18 V
  • 4532 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7

Инвентаризация: 18

MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF

Инвентаризация: 882

SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

Инвентаризация: 733

MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

Инвентаризация: 1565

750V, 105A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 417

750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 387

1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 796

Top