Инвентаризация:2010

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 38A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 85mOhm @ 15A, 18V
  • Материал феррулы 148W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -8V
  • 650 V
  • 61 nC @ 18 V
  • 1196 pF @ 325 V

Сопутствующие товары


650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 190

TRANS SJT N-CH 700V 39A TO247-4

Инвентаризация: 50

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 501

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 2330

SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247

Инвентаризация: 1111

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 2365

SIC MOS TO247-4L 650V

Инвентаризация: 240

SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L

Инвентаризация: 169

Top