- Модель продукта NTH4L160N120SC1
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2611
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 17.3A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 224mOhm @ 12A, 20V
- Материал феррулы 111W (Tc)
- Барьерный тип 4.3V @ 2.5mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +25V, -15V
- 1200 V
- 34 nC @ 20 V
- 665 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
Инвентаризация: 339
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5
Инвентаризация: 510
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Инвентаризация: 433
SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Инвентаризация: 413
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Инвентаризация: 738
