Инвентаризация:1690

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 35A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 74mOhm @ 16.7A, 18V
  • Материал феррулы 133W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-3
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +20V, -2V
  • 650 V
  • 28 nC @ 18 V
  • 930 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 923

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 822

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 1931

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 1934

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 88

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 60

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 631

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 460

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 240

Top