- Модель продукта IMW65R107M1HXKSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 142mOhm @ 8.9A, 18V
- Материал феррулы 75W (Tc)
- Барьерный тип 5.7V @ 3mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3-41
- Длина ремня 18V
- Шаг Количество +23V, -5V
- 650 V
- 15 nC @ 18 V
- 496 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
TRANS GAN BUMPED DIE
Инвентаризация: 12647
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Инвентаризация: 825
SIC MOS TO247-3L 650V
Инвентаризация: 285
MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC
Инвентаризация: 314
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 213
